什麽是IGBT?

     絕緣栅雙極晶體(tǐ)管(IGBT)是由功率MOSFET和雙極晶體(tǐ)管(BJT)複合而成的一(yī)種新型的電(diàn)力半導體(tǐ)器件，它集兩者的優點于一(yī)體(tǐ)，具有輸入阻抗大(dà)、驅動功率小(xiǎo)、控制電(diàn)路簡單、開(kāi)關損耗小(xiǎo)、速度快及工(gōng)作頻(pín)率高等特點，成爲目前最有應用前景的電(diàn)力半導體(tǐ)器件之一(yī)。在軌道交通、航空航天、新能源、智能電(diàn)網、智能家電(diàn)這些朝陽産業中(zhōng)，IGBT作爲自動控制和功率變換的關鍵核心部件，是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電(diàn)效率，提升用電(diàn)質量，實現節能效果，在綠色經濟中(zhōng)發揮着無可替代的作用。

IGBT工(gōng)作原理

        IGBT就是一(yī)個開(kāi)關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是栅源極的電(diàn)壓，當栅源極加+12V（大(dà)于6V，一(yī)般取12V到15V）時IGBT導通，栅源極不加電(diàn)壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是爲了可靠關斷。

       在IGBT 的G和S兩端加上電(diàn)壓後，内部的電(diàn)子發生(shēng)轉移，本來是正離(lí)子和負離(lí)子一(yī)一(yī)對應，半導體(tǐ)材料呈中(zhōng)性，但是加上電(diàn)壓後，電(diàn)子在電(diàn)壓的作用下(xià)，累積到一(yī)邊，形成了一(yī)層導電(diàn)溝道，因爲電(diàn)子是可以導電(diàn)的，變成了導體(tǐ)。如果撤掉加在GS兩端的電(diàn)壓，這層導電(diàn)的溝道就消失了，就不可以導電(diàn)了，變成了絕緣體(tǐ)。

        IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電(diàn)力電(diàn)子裝置的“CPU” 。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電(diàn)效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放(fàng)的關鍵支撐技術